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Datasheet下载- 型号： RN1506(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1506(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1506(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1506(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1506(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1506(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1506(TE85L,F)、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管，属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置 类别，其主要应用场景包括： 该器件内部集成一个或多个预偏置双极晶体管，通常用于简化电路设计、减少外围元件数量。典型应用包括： 1. 数字开关电路：适用于逻辑控制电路中的开关元件，如驱动继电器、LED、小型电机等负载。 2. 接口电路：在数字系统与模拟系统之间作为信号转换和放大元件，提升信号驱动能力。 3. 电源管理电路：用于电源切换、负载开关控制等场合，提高系统效率与稳定性。 4. 消费类电子产品：如手机、平板、打印机等设备中的信号处理与控制模块。 5. 工业自动化设备：在PLC、传感器模块、继电控制板中作为高频开关或信号放大器件使用。 由于其预偏置设计，可省去外部偏置电阻，缩小PCB面积，提升电路可靠性，适用于对空间与集成度有要求的中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL CE NPN SMV 50V 100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1376963&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1506(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1506 |
| 产品型号 | RN1506(TE85L,F)RN1506(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | RN1506(TE85LF)TR |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 封装/箱体 | SMV-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 250 MHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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