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产品简介:
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NSBC124EDXV6T1是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,采用SOT-23-6小型封装。该器件集成了两个带集成基极电阻的NPN晶体管,简化了电路设计,减少了外部元件数量。 其主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于内置偏置电阻,NSBC124EDXV6T1非常适合用于逻辑电平转换、驱动LED、继电器或小功率负载的开关控制,广泛应用于消费类电子产品和工业控制设备中。 2. 信号放大与缓冲:在低频模拟信号处理中,可用于小信号放大或作为缓冲级,提升信号驱动能力。 3. 电源管理与接口电路:常用于电源启停控制、MOSFET栅极驱动、传感器信号调理等场合,提高系统响应速度和稳定性。 4. 便携式电子设备:因其小型化封装和低功耗特性,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和能耗敏感的产品。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101车规认证,可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(如灯光控制、电机驱动)等环境较严苛的应用。 NSBC124EDXV6T1具有高可靠性、温度稳定性好、装配简便等优点,是替代分立晶体管加电阻组合的理想选择,有助于缩小PCB面积并提升生产良率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC124EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC124EDXV6TOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |