Datasheet下载- 型号： NSBA124XDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA124XDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA124XDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA124XDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA124XDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA124XDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA124XDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，适用于多种通用开关和信号放大场景。该器件集成了两个通道的NPN晶体管，每个通道均内置基极和发射极电阻，简化了外部电路设计，减少了元件数量，提高了系统可靠性。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与开关控制：用于便携式设备、消费类电子产品中的负载开关或继电器驱动，实现高效通断控制。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统之间进行信号转换，如3.3V与5V系统间的接口匹配。 3. LED驱动电路：作为LED指示灯或多路LED的恒流开关驱动，广泛应用于家电、工业面板和汽车电子中。 4. 小信号放大：适用于传感器信号调理、音频前置放大等低功率模拟信号处理场合。 5. 数字缓冲/驱动：用于微控制器输出端口的信号增强，提高驱动能力，驱动继电器、蜂鸣器等负载。 其小型化封装（SOT-563）适合高密度PCB布局，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端、家用电器及车载电子模块等对空间和功耗敏感的领域。内置电阻设计降低了设计复杂度，提升了生产一致性，是替代传统分立晶体管加电阻方案的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBA124XDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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