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Datasheet下载- 型号： IMD3AT108
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IMD3AT108产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMD3AT108由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMD3AT108价格参考。ROHM SemiconductorIMD3AT108封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMD3AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMD3AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为IMD3AT108的晶体管，属于预偏置双极性晶体管阵列（BJT Array）类别。该器件在设计上集成了多个BJT晶体管以及内置偏置电阻，适用于需要高稳定性和集成度的电路设计。 IMD3AT108的典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、电压调节器等，作为开关元件或驱动元件，提升系统效率和稳定性。 2. 电机驱动与继电器控制：适用于小型电机、继电器、电磁阀等感性负载的驱动，利用其高耐压和集成电阻特性，简化外围电路设计。 3. 工业自动化设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口、工业继电器模块等，满足工业环境下的高可靠性和抗干扰需求。 4. 消费类电子产品：如家电控制电路、LED驱动、充电器等，凭借其小型化和集成化优势，节省PCB空间并降低成本。 5. 汽车电子系统：包括车身控制模块、车灯驱动、风扇控制等应用，适应车载环境对温度与可靠性的严苛要求。 该器件具有高可靠性、封装小巧、外围元件少等优点，适合对空间和性能都有要求的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL DIGITAL PNP/NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMD3AT108- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMD3AT108 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMD3AT108TR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
