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PBLS6001D,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6001D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6001D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6001D,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS6001D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBLS6001D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS6001D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个独立的 NPN 晶体管,各集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:适用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)I/O口直接驱动LED、小型继电器或光耦,简化电路,节省PCB空间。 2. LED驱动与指示电路:常用于消费电子(如电视遥控器、机顶盒、家电面板)中的多路LED状态指示,提供稳定限流与开关控制。 3. 信号切换与缓冲:在低速数字信号通路中作电平整形或负载隔离,如按钮去抖、传感器信号预处理等。 4. 工业与汽车电子基础控制:符合AEC-Q101标准(注:需查证具体批次是否认证;PBLS6001D,115为通用工业级,部分版本支持汽车应用),可用于车身控制模块(BCM)中的小功率开关节点。 5. 替代传统分立偏置方案:显著减少元件数量、贴装成本及设计复杂度,提升生产良率与可靠性。 该器件采用SOT-363(SC-70-6)微型封装,具备低饱和压降(VCE(sat) ≤ 100 mV @ IC=10 mA)、高直流电流增益(hFE = 160–400)及宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C),适合紧凑型、高可靠性要求的中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PBLS6001D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V / 150 @ 500mA,5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7249-6 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式,1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V,60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,700mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA, 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 185MHz |