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  • 型号: RN1907,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RN1907,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1907,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1907,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN1907,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1907,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 RN1907,LF、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管,属于 双极型晶体管(BJT)阵列 - 预偏置 类别,是一种集成了电阻的晶体管阵列器件,常用于需要简化电路设计和提高稳定性的场合。

 应用场景包括:

1. 逻辑电平转换电路:可用于将不同电压等级的数字信号进行转换,适用于数字电路与模拟电路之间的接口控制。

2. 驱动电路:在LED驱动、小型继电器或风扇控制中,作为开关元件使用,预偏置设计可减少外围元件数量,提高可靠性。

3. 信号放大电路:适用于低频信号放大,如音频前置放大器等。

4. 工业控制设备:如PLC、传感器模块、工业自动化设备中的信号处理和开关控制。

5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、家用电器中的电源管理和控制电路。

6. 汽车电子:用于车载控制模块、LED照明系统、车载传感器接口等,具备较高稳定性和集成度,适合车载环境。

该器件因其集成电阻、减少外围元件、提升电路稳定性等特点,适用于对空间和可靠性有要求的中低功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRAN DUAL NPN 50V 100A US6

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907

产品图片

产品型号

RN1907,LF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

供应商器件封装

US6

其它名称

RN1907LFDKR

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

250MHz

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