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  • 型号: UMD5NTR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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UMD5NTR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供UMD5NTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMD5NTR价格参考。ROHM SemiconductorUMD5NTR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW,120mW 表面贴装 UMT6。您可以下载UMD5NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMD5NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

UMD5NTR是罗姆半导体(ROHM Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管阵列,属于带内置电阻的NPN型BJT阵列器件。该器件集成了两个NPN晶体管,每个晶体管的基极和发射极均内置了偏置电阻,简化了外部电路设计,提高了系统可靠性。

UMD5NTR主要应用于需要小型化、高集成度和低成本驱动方案的电子设备中。典型应用场景包括:便携式消费类电子产品中的信号切换与逻辑电平转换,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的接口驱动;各类小型继电器、LED指示灯或小型负载的开关控制;以及电源管理电路中的电平移位和驱动级设计。由于其内置电阻减少了外部元件数量,特别适合高密度贴装的便携设备PCB设计。

此外,UMD5NTR采用超小型表面贴装封装(如SOT-769 / S-Mini),适用于自动化贴片生产,有利于提升生产效率并节省空间。其稳定的电气性能和良好的温度特性也使其广泛用于工业控制模块、传感器接口和家用电器控制板等对可靠性和稳定性有要求的场合。

综上,UMD5NTR凭借其集成化设计、小尺寸和高可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和家电等领域中的低功率开关与信号处理电路中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP UMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP/NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMD5NTR-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

UMD5NTR

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

68 @ 5mA,5V / 30 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

UMT6

其它名称

UMD5NDKR

典型电阻器比率

1 at NPN, 0.47 at PNP

典型输入电阻器

47 kOhms at NPN, 4.7 kOhms at PNP

功率-最大值

150mW,120mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

UM-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

30mA,100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k,10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k,4.7k

直流集电极/BaseGainhfeMin

68

配置

Dual

频率-跃迁

250MHz

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