Datasheet下载- 型号： PEMD14,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD14,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD14,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD14,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD14,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD14,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 是一家知名的半导体制造商，其产品型号 PEMD14,115 属于晶体管中的双极型晶体管（BJT）类别，具体为预偏置阵列晶体管。这类晶体管通常集成了多个晶体管单元，并内置偏置电路，便于在电路设计中简化外围元件设计，提高稳定性与可靠性。 PEMD14,115 主要适用于需要高效、稳定信号处理的电子电路中，典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、电源开关控制等场合，提供稳定的电流放大和开关功能。 2. 工业自动化设备：如PLC控制器、传感器接口电路中，用于信号放大和逻辑控制。 3. 消费类电子产品：如电视、音响设备中的电源控制和音频放大模块。 4. 汽车电子系统：包括车载充电器、照明控制和电机驱动电路，因其预偏置结构有助于提升系统稳定性。 5. 通信设备：用于低频信号放大和隔离电路中，确保信号传输的稳定性。 该器件采用SMD（表面贴装）封装，适合自动化生产，广泛应用于对空间和性能有要求的电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD14,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD14,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058918115 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD14 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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