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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5311DW1T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5311DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5311DW1T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5311DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5311DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5311DW1T1 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。该器件主要应用于需要高性能开关和信号放大的场景。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 - MUN5311DW1T1 可用于音频设备中的小信号放大,例如麦克风前置放大器或低噪声放大器。 - 在通信系统中,它可用于射频(RF)信号的放大,提供高增益和低失真性能。 2. 高速开关 - 由于其预偏置特性,该器件适合用作高速开关,例如在脉宽调制(PWM)电路中控制负载。 - 在数据传输电路中,可以作为信号切换元件,实现多路复用功能。 3. 模拟电路设计 - 适用于各种模拟电路,如运算放大器、比较器和振荡器的设计。 - 在电源管理领域,可作为线性稳压器中的关键元件,调节输出电压。 4. 消费电子 - 在家用电器、遥控器和便携式设备中,用于驱动小型电机、LED 或其他低功率负载。 - 适用于玩具、游戏控制器等需要简单逻辑控制的产品。 5. 工业自动化 - 在传感器接口电路中,用于信号调理和放大。 - 用于工业控制系统中的信号隔离和转换,确保可靠性和稳定性。 6. 汽车电子 - 可用于车载音响系统、仪表盘显示以及车内照明控制。 - 在汽车传感器网络中,作为信号处理和传输的关键元件。 7. 测试与测量 - 在示波器、信号发生器和其他测试设备中,用于精确的信号放大和调节。 MUN5311DW1T1 的预偏置特性使其能够简化电路设计,减少外部元件数量,同时提高系统的稳定性和可靠性。这种器件特别适合对功耗和空间要求较高的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MUN5311DW1T1 |
PCN设计/规格 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | MUN5311DW1T1OSCT |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
标准包装 | 10 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
频率-跃迁 | - |