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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMH3T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMH3T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMH3T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMH3T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMH3T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为 EMH3T2R 的晶体管,属于双极型晶体管(BJT)阵列 - 预偏置类别。该器件内部集成了多个预偏置BJT晶体管,适用于需要稳定偏置和高可靠性的电路设计。 应用场景包括: 1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于信号切换、驱动控制和电源管理,因其集成预偏置电阻,可减少外围元件数量,节省PCB空间。 2. 电源管理电路:在DC-DC转换器、LDO稳压器中用于驱动MOSFET或作为开关元件,实现高效的电源转换与调节。 3. 传感器接口电路:用于放大和开关控制传感器信号,如温度、压力、光传感器等,预偏置设计有助于简化偏置电路设计。 4. 工业自动化控制:在PLC、继电器驱动、电机控制等工业设备中,用于逻辑电平转换或负载驱动。 5. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动等,满足汽车应用对稳定性和可靠性的高要求。 EMH3T2R凭借其集成度高、封装小巧、稳定性强等特点,广泛应用于对空间和性能有要求的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN EMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 100MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor EMH3T2R- |
数据手册 | |
产品型号 | EMH3T2R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | EMT6 |
其它名称 | EMH3T2R-ND |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | EMT-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |