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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1505(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1505(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1505(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RN1505(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RN1505(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RN1505(TE85L,F)是东芝半导体与存储(Toshiba Semiconductor and Storage)推出的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,适用于多种中小功率开关与信号放大场景。该器件集成两个PNP型晶体管,每个均内置基极和发射极电阻,简化了外围电路设计,提高了系统可靠性。 典型应用场景包括: 1. 消费类电子产品:用于手机、平板、电视等设备中的逻辑电平转换、LED驱动及小型继电器控制; 2. 工业控制:在PLC模块、传感器接口、电源管理电路中实现信号放大与开关功能; 3. 便携式设备:因其小型化封装(如SOT-563)和低功耗特性,广泛应用于笔记本电脑、充电器、电池管理系统中; 4. 通信设备:用于信号路由、音频开关或数据线路的驱动控制; 5. 汽车电子:适用于车身控制模块,如车灯控制、风扇驱动等非动力系统应用。 RN1505(TE85L,F)凭借其高可靠性、温度稳定性及简化设计的优势,成为替代分立晶体管和电阻组合的理想选择,特别适合空间受限且要求高集成度的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL CE NPN SMV 50V 100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1376945&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1505(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1505 |
| 产品型号 | RN1505(TE85L,F)RN1505(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMV |
| 其它名称 | RN1505(TE85LF)TR |
| 典型电阻器比率 | 0.0468 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A,SOT-753 |
| 封装/箱体 | SMV-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 250 MHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |