Datasheet下载- 型号： NSBC143ZDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143ZDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143ZDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC143ZDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC143ZDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC143ZDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBC143ZDP6T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用SOT-563（SC-88）小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件集成了两个带有内置基极和发射极电阻的NPN晶体管，简化电路设计，减少外围元件数量。 主要应用场景包括： 1. 消费类电子产品：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和LED驱动控制，因其小尺寸和高集成度，有助于缩小PCB面积。 2. 电源管理与开关控制：在电池供电系统中作为低功耗开关，用于开启/关闭电源模块或外设控制，提高能效。 3. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑电路（如3.3V与1.8V系统）之间实现信号接口匹配，确保信号完整性。 4. 驱动电路：用于驱动小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，特别适合需要简单驱动且稳定性高的场合。 5. 工业与汽车电子：应用于传感器信号调理、车载信息娱乐系统及车身控制模块，具备良好的温度稳定性和可靠性。 NSBC143ZDP6T5G因内置偏置电阻，无需外部电阻网络，提升了生产一致性并降低了组装成本，是替代传统分立晶体管+电阻组合的理想选择，尤其适用于高密度、低成本、大批量生产的电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143ZDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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