Datasheet下载- 型号： NSBC115EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC115EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC115EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC115EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC115EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC115EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC115EDXV6T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件。该器件内部集成了一个或多个BJT晶体管，并内置偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性和可靠性。 该型号常用于以下应用场景： 1. 逻辑电平转换与开关控制：适用于数字电路中不同电压域之间的信号转换，作为开关元件控制负载的通断。 2. LED驱动电路：由于内置偏置电阻，可直接由微控制器等数字信号控制LED的亮灭，广泛应用于指示灯、显示屏背光等场景。 3. 继电器或蜂鸣器驱动：在工业控制、家电或汽车电子中，用于驱动小型继电器、蜂鸣器等负载。 4. 信号放大与处理：在低频模拟信号放大电路中，用于信号调理或接口电路。 5. 汽车电子系统：如车身控制模块、照明控制、传感器接口等对可靠性要求较高的场景。 6. 消费类电子产品：如智能家电、遥控器、便携设备等，因其封装小巧、外围电路简单，适合空间受限的设计。 该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），适合自动化贴片生产，广泛应用于中低功率、中低频的通用电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC115EDXV6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC115EDXV6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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