Datasheet下载- 型号： NSBA113EDXV6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA113EDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA113EDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBA113EDXV6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA113EDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA113EDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA113EDXV6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN晶体管，并内置偏置电阻，简化了外围电路设计。该器件采用SOT-563（SC-88）小型封装，适合高密度贴装。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于手机、平板、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和逻辑控制电路。 2. 电源管理与开关电路：内置偏置电阻使其可直接由数字信号（如MCU GPIO）驱动，常用于LED驱动、负载开关、继电器或马达控制中的缓冲级。 3. 逻辑电平转换：在不同电压域的数字系统之间（如3.3V与5V逻辑接口），实现信号电平的升降转换。 4. 消费类电子产品：适用于电视、机顶盒、遥控器等设备中的小信号放大与开关应用。 5. 工业与汽车电子：因其可靠性和工作温度范围宽（-55°C 到 150°C），可用于汽车信息娱乐系统、传感器接口和车载控制模块中的信号处理。 NSBA113EDXV6T1G的优势在于集成度高、节省PCB空间、减少元件数量并提升系统可靠性，特别适合对尺寸和成本敏感的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSBA113EDXV6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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