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产品简介:
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PBLS2024D,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内部集成了两个带内置偏置电阻的 NPN 晶体管。该器件广泛应用于需要简化电路设计、节省 PCB 空间和提高可靠性的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换:在不同电压逻辑系统(如 3.3V 与 5V)之间进行信号转换,常用于微控制器接口电路。 2. 开关控制电路:适用于 LED 驱动、继电器驱动、小型负载开关等低功率开关应用,其内置偏置电阻可减少外部元件数量,简化设计。 3. 信号放大与缓冲:用于小信号放大或数字信号缓冲,提升驱动能力。 4. 消费类电子产品:广泛用于手机、平板、家用电器等设备中的电源管理与信号控制模块。 5. 工业控制与便携设备:因其高可靠性与小型封装(如SOT26),适合空间受限的便携式设备和工业传感器接口。 PBLS2024D,115 的优势在于集成度高、响应速度快、功耗低,且无需外部偏置电阻即可实现稳定工作,有助于缩小电路板尺寸并提升生产效率。其工作温度范围宽(-55°C 至 +150°C),适应严苛环境,是现代电子设计中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS2024D,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V / 200 @ 1A,2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934061576115 |
| 功率-最大值 | 760mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 PNP 预偏压式,1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V,20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,1.8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA, 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 130MHz |