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产品简介:
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NSBC123JPDXV6T5G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置电阻,适用于多种电子开关和信号处理场景。该器件集成了两个带有内置基极-发射极电阻的NPN晶体管,简化了电路设计,减少了外部元件数量。 其主要应用场景包括: 1. 逻辑电平转换:在不同电压逻辑系统之间进行信号转换,如将3.3V信号转换为5V信号,广泛用于微控制器与外围设备的接口电路中。 2. 驱动LED或小功率负载:由于具备良好的电流驱动能力,常用于LED指示灯、数码管或小型继电器的驱动电路。 3. 开关电路:作为电子开关使用,适用于电源管理、电池供电设备中的通断控制,提高系统能效。 4. 便携式电子产品:因封装小型化(如SOT-563)、功耗低,适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的应用。 5. 工业控制与消费类电子:用于传感器信号放大、继电器驱动、电机控制等通用模拟与数字电路中。 NSBC123JPDXV6T5G具有高可靠性、优良的温度稳定性及符合RoHS环保要求,适用于自动化、通信模块、家电控制板等多种环境。其预偏置设计降低了设计复杂度,提升了生产一致性,是现代紧凑型电子系统的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor NSBC123JPDXV6T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | NSBC123JPDXV6T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NSBC123JPDXV6T5GOSCT |
典型电阻器比率 | 0.047 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 357 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80, 140 |
系列 | NSBC123JPDXV6 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |