Datasheet下载- 型号： NSBA114TDXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114TDXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114TDXV6T5价格参考。ON SemiconductorNSBA114TDXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114TDXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114TDXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSBA114TDXV6T5的器件属于安森美半导体（ON Semiconductor）的预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列产品。该器件通常集成了多个BJT晶体管以及内置偏置电阻，适用于需要简化电路设计、减少外部元件数量的应用场景。 其典型应用场景包括： 1. 数字开关电路：用于逻辑控制、信号切换、继电器驱动等场合，因其内置偏置电阻，可直接与逻辑IC连接，简化驱动电路设计。 2. LED驱动：适用于LED背光、指示灯等低功率LED驱动应用，提供稳定开关控制。 3. 接口电路：用于微控制器与外围设备之间的信号接口，实现电平转换或信号放大。 4. 电源管理电路：如DC-DC转换器、负载开关等，用于控制电源通断或进行功率调节。 5. 传感器信号调理：在传感器模块中作为信号放大或开关元件，尤其适用于空间受限、要求高集成度的设计。 该器件采用小型化封装（如SOT-553或类似），适合便携设备、消费类电子产品、工业控制系统等对空间和可靠性要求较高的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114TDXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA114TDXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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