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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114YDXV6T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114YDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA114YDXV6T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBA114YDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBA114YDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSBA114YDXV6T1的器件属于安森美半导体(ON Semiconductor)的产品线,是一款预偏置双极性晶体管阵列。该器件通常集成了多个BJT晶体管,并内置偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 其主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:适用于需要多个晶体管协同工作的场合,如逻辑控制、信号切换等。 2. 驱动电路:用于驱动LED、继电器、小型电机或其他负载,特别是在需要多路控制的情况下。 3. 电源管理:在电源控制和转换电路中作为开关元件使用,如DC-DC转换器、负载开关等。 4. 通信设备:用于通信模块中的信号处理、放大及接口控制。 5. 汽车电子:因其可靠性和集成度高,适用于车载控制系统、传感器驱动、灯光控制模块等。 6. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能家电中的控制电路部分。 该器件采用小型封装(如XDFN),适合高密度PCB布局,适用于自动化贴片生产,广泛应用于中低功率、多晶体管协同工作的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114YDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA114YDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |