Datasheet下载- 型号： PEMB18,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB18,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB18,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB18,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB18,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB18,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB18,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含R1/R2），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，含两个独立的NPN硅晶体管通道。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：如微控制器（MCU）GPIO扩展，用于驱动LED、小功率继电器或光耦输入端，简化外围偏置电路设计； 2. 负载开关与信号切换：在便携式设备（如智能手机、可穿戴设备）中作为低功耗、高集成度的开关元件，控制传感器、指示灯等低电流负载（Ic ≤ 100 mA）； 3. 简易放大与信号调理：适用于音频前置放大、传感器信号缓冲等对增益要求不高的场合，预偏置结构确保稳定工作点，降低PCB面积与BOM成本； 4. 汽车电子子系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过认证），可用于车身控制模块（BCM）中的非安全关键信号处理，如车窗/后视镜控制逻辑； 5. 工业IoT节点：在空间受限的传感器节点中实现多路信号隔离与电平适配，提升系统集成度与可靠性。 该器件优势在于减少外部电阻数量、缩短设计周期、提高装配良率，适用于对尺寸、成本及设计简洁性敏感的中低速、中低功率应用。不适用于高频射频、大功率开关或精密模拟放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB18,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058914115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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