Datasheet下载- 型号： PBLS6004D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6004D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6004D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6004D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS6004D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS6004D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS6004D,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。该器件采用小型 SOT-363（SC-70）封装，具备低功耗、高可靠性与快速开关特性。 主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：在微控制器（如ARM、PIC、ESP32）与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间提供简洁、可靠的开关控制； 2. LED驱动电路：直接驱动多位LED指示灯或段式数码管，简化PCB设计，节省空间与BOM成本； 3. 信号切换与多路复用：用于通信模块中的状态信号选通、I²C/SPI总线缓冲或唤醒信号整形； 4. 电池供电设备：得益于低待机电流（ICEX典型值仅10 nA）和宽工作电压范围（VCC = 1.0–5.5 V），适用于便携式医疗设备、无线传感器节点及IoT终端； 5. 工业控制输入级：作为PLC数字输入端的电平适配与噪声抑制单元，提升抗干扰能力。 其预偏置结构显著降低设计复杂度，缩短开发周期，特别适合对尺寸、成本与可靠性要求较高的消费电子、汽车电子（非安全关键系统）及通用嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS6004D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 340mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7252-2 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
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