Datasheet下载- 型号： MUN5130DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5130DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5130DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5130DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5130DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5130DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5130DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内部集成了两个NPN型BJT及内置偏置电阻，采用SOT-26封装。该器件广泛应用于需要简化电路设计、节省PCB空间的场景。 典型应用场景包括： 1. 开关控制电路：常用于驱动LED、继电器、小型电机等负载，其内置偏置电阻可省去外部基极电阻，简化设计，提高可靠性。 2. 逻辑电平转换：在数字系统中实现不同电压逻辑间的信号转换，如将微控制器（MCU）低电流输出信号放大以驱动更高电压或电流负载。 3. 接口缓冲电路：作为MCU与外围设备之间的缓冲级，增强驱动能力，防止主控芯片过载。 4. 便携式电子设备：因体积小、功耗低，适用于手机、平板、可穿戴设备中的信号开关和电源管理模块。 5. 消费类电子产品：如家用电器控制板、智能插座、传感器信号调理电路等。 MUN5130DW1T1G的优势在于集成度高、外围元件少、响应速度快，有助于降低整体成本并提升系统稳定性，特别适合对空间和效率要求较高的中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5130DW1T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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