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Datasheet下载- 型号： PUMD4,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PUMD4,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD4,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD4,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD4,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD4,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD4,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD4,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口与外部负载（LED、继电器、小型蜂鸣器）之间的缓冲/驱动，简化设计并提升抗干扰能力。 2. LED 驱动与指示灯控制：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）和稳定开关特性，适用于多路LED动态扫描或状态指示。 3. 信号切换与小功率开关应用：可替代分立三极管+电阻方案，用于电源使能（EN）、复位信号调理、传感器输出整形等低频（f < 100 MHz）开关场景。 4. 工业与消费类电子板级设计：广泛应用于打印机、家电主控板、IoT终端、POS机等对空间、BOM成本和可靠性有要求的嵌入式系统中，显著减少元件数量与PCB面积。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）封装，支持无铅回流焊，符合AEC-Q100标准（部分批次），具备良好ESD防护（HBM > 2 kV）及温度稳定性（-55°C ~ +150°C）。注意其最大集电极电流为100 mA（每通道），不适用于大功率或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMD4,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11280-2 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
