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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5232DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5232DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5232DW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5232DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5232DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5232DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列,属于预偏置类型。它主要应用于需要高性能开关和信号放大的场景,以下是其典型应用场景: 1. 信号调理与放大 该器件适用于音频、射频或传感器信号的放大和处理。预偏置设计使其能够快速响应并稳定地放大微弱信号,适合用于低噪声放大器或缓冲电路。 2. 高速开关电路 MUN5232DW1T1G 的高频率特性使其非常适合用于高速开关应用,例如数据通信中的信号切换、逻辑电平转换或脉冲生成电路。 3. 电源管理 在小型电源管理模块中,这款 BJT 阵列可以用于电流限制、电压调节或负载开关等功能,提供精确的控制能力。 4. 电机驱动与控制 它可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,实现方向控制、速度调节等操作,尤其是在多通道控制系统中发挥优势。 5. 消费电子设备 此类器件广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品中,用作音频放大、电池保护或接口驱动等功能模块。 6. 工业自动化 在工业领域,MUN5232DW1T1G 可用于传感器信号处理、继电器驱动或其他需要高可靠性和稳定性的场景。 7. 通信设备 由于其良好的高频性能,该器件也适用于无线通信设备中的信号调制解调电路或功率放大辅助电路。 总结来说,MUN5232DW1T1G 凭借其预偏置特性和高性能表现,适用于需要精准控制和高效信号处理的各种电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5232DW1T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MUN5232DW1T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | MUN5232DW1T1GOSDKR |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 256 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363(PB-Free)-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
系列 | MUN5232DW1 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | - |