Datasheet下载- 型号： MUN5234DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5234DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5234DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5234DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5234DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5234DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5234DW1T1 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件，主要应用于需要简化电路设计、提高稳定性和减小PCB面积的场合。 该器件内部集成了两个预偏置的BJT晶体管，通常为NPN型，每个晶体管的基极已集成偏置电阻，省去了外部偏置电路的设计，从而降低了电路复杂度，提高了可靠性。该器件常用于数字开关电路、逻辑驱动电路、继电器或LED驱动、传感器接口、小型电机控制等应用场景。 典型应用包括：在嵌入式系统或工业控制中作为逻辑输出的驱动级；在汽车电子中用于控制灯光或小型继电器；在消费类电子产品中用于按键或指示灯的控制；在通信设备中用作信号切换或电平转换。 由于其集成偏置电阻的特性，MUN5234DW1T1 可有效减少元件数量，提升电路稳定性，适用于对空间和设计简化有要求的中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5234DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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