Datasheet下载- 型号： SMUN5116DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5116DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5116DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5116DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5116DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5116DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5116DW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用SOT-563封装。该器件集成了两个带有内置基极和发射极电阻的NPN晶体管，简化了电路设计，减少了外部元件数量。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于体积小、功耗低，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与逻辑控制。 2. 电源管理与开关电路：适用于LED驱动、电池供电设备的负载开关、DC-DC转换器的控制等，利用预偏置电阻实现快速开关响应。 3. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号转换，如将3.3V逻辑信号转换为5V系统兼容信号，常用于微控制器接口电路。 4. 消费类电子产品：用于家电控制板、遥控器、小型电机驱动等需要紧凑型晶体管解决方案的场合。 5. 工业与汽车电子：因其高可靠性，可用于车载信息娱乐系统、传感器接口、继电器驱动等环境较严苛的应用。 SMUN5116DW1T1G的优势在于集成电阻提高了稳定性，降低了噪声干扰，同时简化PCB布局，提升生产良率。适合对空间和成本敏感的中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5116DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 PNP 预偏压（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
SMUN5116DW1T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商