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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5237DW1T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5237DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5237DW1T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5237DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5237DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5237DW1T1是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT)阵列器件,广泛应用于需要高效、稳定晶体管开关功能的电路设计中。 该器件主要应用场景包括: 1. 电源管理和开关控制:适用于DC-DC转换器、负载开关及电源分配系统,用于实现高效能的电流控制。 2. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统、照明控制模块和传感器接口电路,因其具备良好的温度稳定性和可靠性,适合车载环境使用。 3. 工业自动化与控制设备:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动、电机控制及工业传感器信号调理电路中。 4. 消费类电子产品:如智能家电、LED驱动电路、电池供电设备中的信号切换与功率控制。 5. 通信设备:用于基站、光模块、网络交换设备中的信号放大或开关应用。 MUN5237DW1T1集成了两个预偏置晶体管,减少了外围元件数量,简化了电路设计,提高了系统稳定性,特别适合空间受限和要求高集成度的设计场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MUN5237DW1T1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | MUN5237DW1T1OS |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
频率-跃迁 | - |