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Datasheet下载- 型号： PBLS2003D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS2003D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2003D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2003D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2003D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS2003D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS2003D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS2003D,115 是 NXP USA Inc. 推出的集成双极型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置7路达林顿驱动通道（含内置基极-发射极电阻），采用 SO-16 封装。其典型应用场景包括： - 工业与家电控制：广泛用于微控制器（如 ARM、PIC、STM32）IO口扩展后的负载驱动，如继电器、电磁阀、小型直流电机及LED灯组的开关控制；内置预偏置电阻简化外围电路，提升系统可靠性与PCB空间利用率。 - 打印机与办公设备：常用于针式打印机、票据打印机中的打印头驱动、走纸电机控制及传感器信号调理模块，满足多路低速高增益开关需求。 - 汽车电子辅助系统：适用于车身控制模块（BCM）中非安全关键类负载驱动，如车窗升降、座椅调节、仪表背光等12V/24V负载接口，具备一定ESD防护和宽工作温度范围（−40°C 至 +125°C）。 - LED显示与照明驱动：可直接驱动共阴极LED点阵或段码显示器，支持灌电流模式（单通道最大连续输出电流达500mA，峰值1A），配合限流电阻实现高效节能控制。 该器件无需外接基极电阻，降低BOM成本与设计复杂度，适合对成本、尺寸和开发周期敏感的中低速数字驱动应用。注意：不适用于高频开关（>100kHz）或线性放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS2003D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 280mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 220 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7230-2 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
