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Datasheet下载- 型号： PBLS2003D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS2003D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2003D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2003D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2003D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 1A 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS2003D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS2003D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PBLS2003D,115 的晶体管由 Nexperia USA Inc. 生产，属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置类型。该器件内部集成了多个预偏置BJT晶体管，适用于需要多路晶体管控制的场合。 应用场景包括： 1. 逻辑电平转换电路：用于数字电路中不同电压域之间的信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号。 2. 驱动LED和继电器：适用于需要多路控制的小功率负载驱动，如LED显示屏、仪表盘指示灯、小型继电器等。 3. 接口电路：在微控制器或数字电路与外部设备之间作为开关或缓冲器使用，提高系统集成度和稳定性。 4. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口、自动化系统中的多路开关控制。 5. 消费电子产品：如打印机、扫描仪、家用电器中的电机或继电器控制模块。 6. 汽车电子：用于车身控制模块（BCM）中，如车窗、灯光、风扇等的控制电路。 该器件采用小型封装，功耗低，集成度高，适合空间受限但需要多路晶体管功能的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS2003D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 280mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 220 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7230-2 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
