Datasheet下载- 型号： NSBA114TDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114TDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114TDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA114TDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114TDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114TDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSBA114TDP6T5G的器件属于安森美半导体（ON Semiconductor）产品线中的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列。该器件集成了多个BJT晶体管以及内置偏置电阻，常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减少外部元件数量的应用场合。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于开关电源、DC-DC转换器中的控制与驱动电路，提供稳定的开关控制和电流放大功能。 2. 电机驱动与继电器控制：在电机驱动器、继电器驱动电路中，作为开关元件使用，其内置偏置电阻可简化驱动电路设计。 3. 工业自动化控制：用于PLC、工业传感器和执行器的信号处理与功率驱动电路中，实现对信号的放大与控制。 4. 汽车电子系统：如车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇控制等场景，适用于对可靠性和集成度要求较高的车载应用。 5. 消费类电子产品：如打印机、家电控制器、智能电表等设备中，用于逻辑电路与功率负载之间的接口驱动。 该器件采用小型封装（如P6T封装），适合高密度PCB布局，具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于中低功率的数字与模拟混合电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114TDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 408mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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