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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMG4N-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMG4N-7价格参考。Diodes Inc.UMG4N-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载UMG4N-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMG4N-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
UMG4N-7是Diodes Incorporated推出的一款预偏置双极性晶体管阵列,内部集成了两个NPN型BJT及内置偏置电阻,采用小型SOT-26封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件广泛应用于消费类电子产品和工业控制领域。 典型应用场景包括:逻辑信号电平转换、驱动LED指示灯或小型继电器、开关电源中的小功率控制电路、音频信号开关及数字逻辑门电路接口。由于其内置偏置电阻,简化了外部电路设计,无需额外配置基极电阻,提高了电路可靠性并减小PCB面积,特别适合高密度贴装的现代电子产品。 此外,UMG4N-7也常用于微控制器与负载之间的缓冲驱动,如在家电控制板、智能手机外围电路、IoT设备中实现信号放大与开关功能。其稳定的电气性能和良好的温度适应性,使其在工业环境下的传感器信号调理模块中也有广泛应用。总之,该器件凭借集成化设计和高可靠性,成为中小功率开关与信号处理应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT353 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | UMG4N-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-353 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |