Datasheet下载- 型号： NSBA114EDXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114EDXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114EDXV6T5价格参考。ON SemiconductorNSBA114EDXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114EDXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114EDXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NSBA114EDXV6T5 的晶体管属于 ON Semiconductor（安森美半导体）旗下的 预偏置双极结型晶体管阵列（BJT Array），其主要功能是将多个晶体管及偏置电阻集成在一个封装中，适用于需要高集成度、稳定性和简化电路设计的场景。 该器件常用于以下应用场景： 1. 数字开关电路：由于其内置偏置电阻，可直接与数字电路（如微控制器、FPGA、逻辑IC）连接，用于控制LED、继电器、小型电机等负载。 2. 信号处理与转换电路：可用于信号放大、电平转换或缓冲电路，尤其在需要多个晶体管协同工作的场合，如接口电路中。 3. 消费类电子产品：如手机、平板电脑、打印机、家用电器等，用于控制外围设备或实现逻辑功能。 4. 汽车电子系统：包括车载娱乐系统、车身控制模块、传感器接口等，因其集成度高，有助于减少PCB空间和元件数量。 5. 工业控制设备：如PLC、传感器驱动、继电器驱动电路中，提供稳定可靠的开关控制功能。 该器件采用小型封装（如XDFN），适合高密度PCB布局，且具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于中低功率的通用开关和放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114EDXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA114EDXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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