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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5313DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5313DW1T1G价格参考¥0.18-¥0.19。ON SemiconductorMUN5313DW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5313DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5313DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5313DW1T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT)阵列器件,广泛应用于需要高效、稳定开关控制的电子电路中。该器件内部集成了两个PNP晶体管,并带有预偏置电阻,简化了电路设计,提高了可靠性。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源切换控制,提供高效的开关性能。 2. 电机驱动与继电器控制:在小型电机、继电器或电磁阀的驱动电路中作为开关元件,实现对负载的精确控制。 3. 工业自动化系统:用于PLC、传感器接口、工业控制模块中,进行信号放大或驱动指示灯、小型执行机构。 4. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明控制、充电设备中,用于低功耗开关控制和信号处理。 5. 汽车电子:适用于车身控制模块、车载娱乐系统、车灯控制等场景,满足汽车电子对可靠性和稳定性的要求。 该器件采用小型表面贴装封装(如TSSOP),适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于中低功率的通用开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR DUAL 50V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5313DW1T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MUN5313DW1T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | MUN5313DW1T1GOSCT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 47 kOhms |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 256 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363(PB-Free)-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | MUN5313DW1 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | - |