Datasheet下载- 型号： MUN5335DW1T2G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5335DW1T2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5335DW1T2G价格参考。ON SemiconductorMUN5335DW1T2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5335DW1T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5335DW1T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（现为安森美半导体）的MUN5335DW1T2G是一款双极型晶体管（BJT）阵列，具有预偏置特性。该器件主要应用于需要高性能模拟信号处理和开关控制的场景。以下是其典型应用场景： 1. 音频放大器 - MUN5335DW1T2G适合用于音频放大器中的驱动级或输出级电路。其高增益和低噪声特性能够提供高质量的音频信号放大。 - 预偏置设计有助于优化线性度，减少失真，从而提升音质。 2. 运算放大器 - 在精密运算放大器中，该器件可作为输入级或中间级晶体管，提供高增益和稳定的性能。 - 其预偏置功能可以简化电路设计，降低功耗并提高效率。 3. 电源管理 - 用于开关电源（SMPS）中的控制电路或驱动电路。 - 在直流-直流转换器中，该器件可用作驱动晶体管，实现高效的电压调节。 4. 电机控制 - 在小型电机驱动应用中，MUN5335DW1T2G可用于控制电流流向，实现精确的速度和方向控制。 - 其低饱和电压特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 5. 传感器信号调理 - 适用于工业自动化和物联网领域的传感器信号放大与处理。 - 该器件的高精度和稳定性使其成为处理微弱信号的理想选择。 6. 通信设备 - 在射频（RF）和中频（IF）电路中，该器件可用于信号放大和调制解调。 - 预偏置特性有助于确保在高频条件下的稳定工作。 7. 消费电子 - 应用于电视、音响、游戏机等消费电子产品中的信号处理和功率控制。 - 其紧凑的封装形式适合空间受限的设计。 总结 MUN5335DW1T2G凭借其高性能、预偏置特性和可靠性，广泛应用于音频、电源、电机控制、传感器以及通信等领域。其具体应用场景取决于电路设计需求和性能要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SC88开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5335DW1T2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5335DW1T2G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5335DW1T2GOS |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5335DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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