Datasheet下载- 型号： PUMD18,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD18,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD18,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD18,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMD18,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD18,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号 PUMD18,115 是一款 预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，常用于需要高集成度和稳定偏置电路的场合。该器件内含多个BJT晶体管，并集成了偏置电阻，简化了电路设计，提高了可靠性。 应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关或电源路径控制，实现高效能的功率调节。 2. 信号开关与逻辑控制：在数字电路中作为开关元件，用于控制信号路径或逻辑电平转换。 3. 传感器接口电路：用于放大或开关来自传感器的小信号，如温度、压力、光传感器等。 4. LED驱动：在LED背光或照明系统中作为电流控制开关使用。 5. 通信设备：用于通信模块中的信号放大、切换和功率控制。 6. 消费类电子产品：如手机、平板、穿戴设备中的电源管理和信号控制部分。 7. 工业控制系统：用于继电器驱动、电机控制或PLC中的信号处理。 其集成预偏置电阻设计，使其在应用中无需外加偏置元件，节省PCB空间并提高系统稳定性，特别适合空间受限和高可靠性要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD18,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD18,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058903115 |
| 典型电阻器比率 | 0.476 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD18 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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