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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD18,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD18,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMD18,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PUMD18,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMD18,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PUMD18,115是一款双通道NPN型预偏置双极结型晶体管(BJT)阵列,内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),采用SOT-363(SC-70-6)小型封装。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:适用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)GPIO输出驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极,简化外围偏置电路设计; 2. 负载开关与信号切换:在低功耗便携设备(如TWS耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点)中用作高效、紧凑的有源开关; 3. 总线缓冲与I²C/SPI等通信线路保护:利用其快速开关特性(fₜ ≈ 180 MHz)和内置电阻抑制振铃、限制灌电流,提升信号完整性; 4. 分立式逻辑门替代方案:可构建简易反相器、与非门等,降低BOM成本与PCB面积; 5. 汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101认证(PUMD18,115为车规级型号),适用于车身控制模块(BCM)、灯光控制、HVAC风扇驱动等12V系统中的低压侧开关应用。 该器件支持-55°C至+150°C工作温度范围,具备高ESD防护(>2 kV HBM),兼具高可靠性与设计简洁性,广泛用于对空间、功耗和鲁棒性要求严苛的消费电子与汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD18,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD18,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058903115 |
| 典型电阻器比率 | 0.476 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD18 T/R |
| 频率-跃迁 | - |