Datasheet下载- 型号： EMC2DXV5T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMC2DXV5T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMC2DXV5T1G价格参考。ON SemiconductorEMC2DXV5T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMC2DXV5T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMC2DXV5T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的EMC2DXV5T1G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列器件，内置两个达林顿配置的晶体管，并集成了基极-发射极电阻网络，简化了电路设计并提高了稳定性。该器件采用小型化表面贴装封装（如SOT-26），适用于空间受限的高密度电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 便携式消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于LED驱动、信号切换或电源管理，得益于其小尺寸和低功耗特性。 2. 工业控制与自动化：在传感器接口电路、继电器驱动或逻辑电平转换中作为开关元件，集成电阻减少了外围元件数量，提升系统可靠性。 3. 汽车电子系统：应用于车身控制模块（BCM）、车内照明控制或小型电机驱动，具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，符合车规级要求。 4. 通信设备：用于接口电路中的信号放大与开关，支持高速响应，适合低电压逻辑控制环境。 EMC2DXV5T1G具有低导通电流、高增益和优良的开关特性，配合内置偏置电阻，有效防止误触发，提升噪声容限。其绿色环保设计（无铅、符合RoHS）也使其广泛适用于各类环保要求高的电子产品。总体而言，该器件特别适合需要高集成度、简化设计和高可靠性的低压、低功率开关应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMC2DXV5T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-553 |
| 其它名称 | EMC2DXV5T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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