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Datasheet下载- 型号： UMD12NTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
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UMD12NTR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UMD12NTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMD12NTR价格参考￥0.34-￥0.64。ROHM SemiconductorUMD12NTR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6。您可以下载UMD12NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMD12NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMD12NTR是一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要高效、稳定晶体管驱动的电路设计中。该器件内部集成了多个BJT晶体管，并带有预偏置电阻，简化了外围电路设计，提高了系统稳定性。 UMD12NTR主要适用于以下应用场景： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、稳压电路及负载开关中，实现对电源通断的高效控制。 2. 电机驱动与继电器驱动：在小型电机、继电器或电磁阀的控制电路中，作为开关元件使用，提供稳定可靠的驱动能力。 3. 工业自动化设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器信号调理电路、工业控制模块等，适用于需要多路晶体管控制的场合。 4. 消费类电子产品：用于LED驱动、音频功率放大、开关控制等电路中，尤其适合空间受限、要求高集成度的设计。 5. 汽车电子系统：如车载充电系统、车灯控制、电机控制模块等，满足汽车环境中对可靠性和稳定性的高要求。 该器件采用小型封装，功耗低，适合高密度PCB布局，广泛应用于中低功率的电子控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP UMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP/NPN 50V 30MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMD12NTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMD12NTR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UMD12NCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UM-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 |
| 配置 | Dual |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
