ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > UMA9NTR
Datasheet下载- 型号： UMA9NTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
UMA9NTR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UMA9NTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMA9NTR价格参考￥0.51-￥1.90。ROHM SemiconductorUMA9NTR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5。您可以下载UMA9NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMA9NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMA9NTR是一款双极性晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。这种器件通常应用于需要高精度、低噪声和稳定性能的电路中。以下是UMA9NTR的一些典型应用场景： 1. 运算放大器输入级：由于其预偏置特性，UMA9NTR非常适合用作运算放大器的输入级晶体管。它可以提供稳定的偏置电流，从而确保运放具有低失调电压和高共模抑制比。 2. 音频前置放大器：在音频设备中，该晶体管可用于构建低噪声前置放大器，以提高信号的质量并减少失真。其良好的匹配特性和低噪声性能使得它成为音频应用的理想选择。 3. 传感器信号调理：UMA9NTR可用于对微弱信号进行放大和处理，例如来自温度、压力或光学传感器的信号。它的高增益和稳定性有助于精确地捕捉和转换这些信号。 4. 精密测量仪器：在需要高精度测量的场合，如数字万用表或多通道数据采集系统中，这款晶体管可以帮助实现准确的信号放大和传输。 5. 模拟开关和多路复用器：利用其快速开关特性和一致的电气参数，UMA9NTR可以设计成高性能的模拟开关或用于多路复用器中，以选择不同的输入信号路径。 6. 功率管理电路：尽管主要是小信号晶体管，但在某些情况下，UMA9NTR也可以参与简单的电源管理功能，比如电流检测或限流保护等辅助电路。 总之，UMA9NTR凭借其优异的匹配度、低噪声以及稳定的直流特性，在各种精密模拟电路中有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 50MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor UMA9NTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMA9NTR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | UMT5 |
| 其它名称 | UMA9NCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 |
| 封装/箱体 | UM-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual Common Emitter |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
NTR,UMY1N.jpg)
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
PDF Datasheet 数据手册内容提取
UMA9N / FMA9A Emitter common(dual digital transistors) Datasheet llOutline Parameter DTr1 and DTr2 SOT-353 SOT-25 V -50V CC I -100mA C(MAX.) R 10kΩ 1 UMA9N FMA9A R2 10kΩ (UMT5) (SMT5) llFeatures llInner circuit 1)Two DTA114E chips in UMT and SMT packages. UMA9N 2)Mounting cost and area can be cut in half. FMA9A llApplication INVERTER, INTERFACE, DRIVER llPackaging specifications Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) SOT-353 UMA9N 2021 TR 180 8 3000 A9 (UMT5) SOT-25 FMA9A 2928 T148 180 8 3000 A9 (SMT5) www.rohm.com 1/6 20151008 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
UMA9N / FMA9A Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Parameter Symbol Values Unit Supply voltage V -50 V CC Input voltage V -40 to 10 V IN Output current I -50 mA O Collector current I *1 -100 mA C(MAX) UMA9N P *2*3 150 D Power dissipation mW/Total FMA9A P *2*4 300 D Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. V V = -5V, I = -100μA - - -0.5 I(off) CC O Input voltage V V V = -0.3V, I = -10mA -3 - - I(on) O O Output voltage V I = -10mA, I = -0.5mA - -100 -300 mV O(on) O I Input current I V = -5V - - -880 μA I I Output current I V = -50V, V = 0V - - -500 nA O(off) CC I DC current gain G V = -5V, I = -5mA 30 - - - I O O Input resistance R - 7 10 13 kΩ 1 Resistance ratio R /R - 0.8 1.0 1.2 - 2 1 V = -10V, I = 5mA, Transition frequency f *1 CE E - 250 - MHz T f = 100MHz *1 Characteristics of built-in transistor. *2 Each terminal mounted on a reference land. *3 120mW per element must not be exceeded. *4 200mW per element must not be exceeded. www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/6 20151008 - Rev.002
UMA9N / FMA9A Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Fig.1 Input Voltage vs. Output Current Fig.2 Output Current vs. Input Voltage (ON Characteristics) (OFF Characteristics) Fig.3 Output Current vs. Output Voltage Fig.4 DC Current Gain vs. Output Current www.rohm.com 3/6 20151008 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
UMA9N / FMA9A Datasheet llElectrical characteristic curves (T = 25°C) a <For DTr1 and DTr2 in common> Fig.5 Output Voltage vs. Output Current www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/6 20151008 - Rev.002
UMA9N / FMA9A Datasheet llDimensions www.rohm.com 5/6 20151008 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
UMA9N / FMA9A Datasheet llDimensions www.rohm.com 6/6 20151008 - Rev.002 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
None