Datasheet下载- 型号： PEMD30,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD30,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD30,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD30,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD30,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现内置偏置，无需外接偏置电阻。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO端口与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的缓冲/驱动，简化电路设计并提升开关可靠性。 - LED驱动与状态指示：因具备稳定开关特性与限流保护功能，广泛用于消费电子、工业面板、家电中的多路LED指示灯控制。 - 信号切换与简单逻辑功能：可构建反相器、或非门等基础逻辑单元，适用于空间受限、成本敏感的嵌入式系统。 - 传感器信号调理前端：在低速传感应用（如按键检测、光耦输入级）中用作电平整形或电流放大。 该器件采用SOT-666封装（超小型6引脚），支持高密度贴装；具备ESD防护（HBM > 2 kV）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101认证，亦适用于汽车电子中的非安全关键模块（如车身控制、照明）。其预偏置结构显著降低PCB面积与BOM成本，提升生产良率与设计鲁棒性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD30,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD30,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934059928115 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD30 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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