Datasheet下载- 型号： MUN5333DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5333DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5333DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5333DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5333DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5333DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5333DW1T1G 是由 ON Semiconductor（安森美）生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。该器件具有高集成度和精确的偏置特性，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 信号调理与放大： MUN5333DW1T1G 的预偏置特性使其非常适合用于信号放大和调理电路。例如，在音频设备中，它可以用来放大低电平信号以驱动扬声器或耳机。 2. 模拟开关： 由于其低功耗和稳定的偏置性能，这款 BJT 阵列可以作为模拟开关使用，应用于多路复用器或多通道选择器中。 3. 传感器接口电路： 在工业自动化和物联网（IoT）领域，该器件可用于将传感器输出信号转换为适合后续处理的形式，例如对微弱电流或电压信号进行放大。 4. 电源管理： 在某些低功率应用中，MUN5333DW1T1G 可用于实现简单的稳压或限流功能，帮助保护下游电路免受过载影响。 5. 数据采集系统： 它可以用于构建高性能的数据采集前端，确保输入信号的线性和稳定性，从而提高测量精度。 6. 通信设备： 在无线通信模块中，该 BJT 阵列可能被用作射频（RF）信号链的一部分，提供增益或匹配阻抗的功能。 7. 消费类电子产品： 包括便携式音频播放器、遥控器以及其他需要小型化设计的产品中，MUN5333DW1T1G 的紧凑封装和高效性能是理想选择。 总之，MUN5333DW1T1G 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于需要精密控制和信号处理的各种领域。具体应用还需根据实际电路需求进行设计和优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5333DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5333DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5333DW1T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 187 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 at 5 mA at 10 V |
| 系列 | MUN5333DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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