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IMD10AT108产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMD10AT108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMD10AT108价格参考。ROHM SemiconductorIMD10AT108封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMD10AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMD10AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMD10AT108是一款双极性晶体管(BJT)阵列,属于预偏置类型。这种器件通常用于需要高精度、低噪声和稳定性能的应用场景。以下是IMD10AT108的主要应用场景: 1. 音频放大器 IMD10AT108适用于高性能音频放大器的设计,尤其是功率放大器中的驱动级或输出级。其预偏置特性能够减少交越失真,提供更纯净的音质表现。 2. 运算放大器 在精密运放设计中,该器件可用于构建输入级或增益级电路,提供低噪声和高增益特性,适合对信号质量要求较高的应用。 3. 电源管理 该型号可以用于线性稳压器(LDO)或其他电源管理模块中,作为电流放大或驱动元件,确保系统在负载变化时保持稳定的输出电压。 4. 传感器信号调理 在工业自动化或消费电子领域,IMD10AT108可用于处理来自传感器的微弱信号,提供必要的信号放大和偏置调整。 5. 通信设备 在射频(RF)或中频(IF)电路中,这款晶体管阵列可作为驱动器或缓冲器,支持高效且稳定的信号传输。 6. 医疗电子 对于心电图(ECG)、脑电图(EEG)等医疗设备,IMD10AT108的低噪声和高精度特性使其成为理想选择,用于放大生物电信号。 7. 测试与测量仪器 在示波器、信号发生器等测试设备中,该器件可用于构建高精度放大电路,满足严格的性能要求。 总之,IMD10AT108凭借其预偏置设计和优异的电气特性,广泛应用于需要高精度、低失真和稳定工作的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMT6开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN/PNP 50V 500MA SOT-457 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor IMD10AT108- |
数据手册 | |
产品型号 | IMD10AT108 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SMT6 |
其它名称 | IMD10AT108DKR |
典型电阻器比率 | 0.01 at PNP |
典型输入电阻器 | 10 kOhms at NPN, 100 kOhms at PNP |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA at NPN, 500 mA at PNP |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA,500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k,100 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | - 500 mA |
频率-跃迁 | 250MHz,200MHz |