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  • 型号: DDC114EH-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DDC114EH-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDC114EH-7价格参考。Diodes Inc.DDC114EH-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDC114EH-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDC114EH-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated 的 DDC114EH-7 是一款集成预偏置电阻的双极型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要简化电路设计、节省空间和提高稳定性的电子应用中。该器件内部包含多个BJT晶体管,并集成了偏置电阻,可直接用于开关或放大电路,无需外接偏置电阻,降低了设计复杂度。

DDC114EH-7 的典型应用场景包括:

1. 逻辑电路与数字开关:适用于逻辑控制电路中的电平转换、信号驱动和开关控制,常见于嵌入式系统、工业自动化设备和消费类电子产品中。

2. 电源管理电路:用于电源开关、负载切换和低功耗控制电路,帮助实现高效能和小型化的电源设计。

3. 放大电路:在低频、小信号放大应用中作为前置放大器使用,如音频设备、传感器信号调理电路等。

4. 汽车电子系统:因其集成度高和稳定性好,适合用于汽车控制模块(如车灯控制、风扇驱动、继电器驱动等)中。

5. 便携式设备:由于其小型封装和低功耗特性,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中。

总之,DDC114EH-7适用于需要集成度高、空间受限且对可靠性有要求的各类电子控制系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

DDC114EH-7

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

供应商器件封装

SOT-563

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

250MHz

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