Datasheet下载- 型号： NSBC144EPDP6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC144EPDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC144EPDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC144EPDP6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC144EPDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC144EPDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC144EPDP6T5G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置电阻，采用SOT-563（SC-88）小型封装。该器件集成了两个PNP型晶体管，每个均内置基极和发射极电阻，简化了外围电路设计，特别适用于空间受限的便携式电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 便携式消费电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和小电流驱动电路，得益于其小尺寸和高集成度。 2. 电源管理与开关控制：用于电池供电系统中的负载开关、LED指示灯驱动或低功耗继电器控制，内置电阻可减少元件数量，提高可靠性。 3. 逻辑接口电路：在微控制器与外围器件之间实现电平匹配和信号缓冲，尤其适合3.3V或5V逻辑系统。 4. 噪声敏感环境：由于预偏置电阻有助于稳定工作点，降低外部干扰影响，适用于对稳定性要求较高的工业传感器模块或通信接口电路。 NSBC144EPDP6T5G具备良好的温度稳定性、低漏电流和快速开关特性，同时符合RoHS环保标准，广泛应用于需要高可靠性、小型化和低成本的电子控制系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT963 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC144EPDP6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 339mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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