Datasheet下载- 型号： PUMH9,125
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMH9,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMH9,125价格参考。NXP SemiconductorsPUMH9,125封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMH9,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMH9,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMH9,125 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含基极-发射极和基极-集电极电阻），采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装。其典型结构为双 NPN 晶体管共发射极配置，具备集成驱动功能，无需外置偏置电阻，简化电路设计。 主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO引脚与LED、继电器、小功率MOSFET等负载之间的信号缓冲与电流放大； 2. LED驱动：可直接驱动多个低电流LED（如指示灯、状态灯），支持灌电流/拉电流模式，提高响应速度与可靠性； 3. 开关电源中的辅助控制电路：在DC-DC转换器或LDO中用作使能（EN）、故障标志（FAULT）信号的电平调理与隔离； 4. 工业I/O模块：作为PLC输入端的信号调理单元，提升抗干扰能力并实现电平匹配（如5V↔3.3V系统互联）； 5. 消费电子待机控制：在TV、机顶盒等设备中用于低功耗唤醒信号检测与主电源启停控制。 该器件具有高增益（hFE典型值160）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.15V @ IC = 10mA）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101兼容选项（部分版本），适用于对空间、功耗和可靠性要求较高的嵌入式与汽车电子场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMH9,125 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934055557125 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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