Datasheet下载- 型号： PIMD2,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PIMD2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PIMD2,115价格参考。NXP SemiconductorsPIMD2,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PIMD2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PIMD2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia 的 PIMD2,115 是一款双通道 NPN 型预偏置双极晶体管阵列（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA 或逻辑IC输出端的信号缓冲与电流放大，可直接驱动LED、小功率继电器或MOSFET栅极。 2. LED驱动电路：双通道结构适合驱动双色LED或背光控制，预偏置设计简化外围电路，无需外接基极电阻，节省PCB面积并提升可靠性。 3. 开关电源与负载开关：在DC-DC转换器或电源管理模块中用作低压侧开关或使能控制（EN/SS信号调理），支持3.3 V/5 V TTL/CMOS电平直接驱动。 4. 工业I/O模块与传感器接口：用于PLC输入端的信号隔离与电平适配，或作为光电耦合器后级驱动器，提高抗干扰能力。 5. 消费电子待机/唤醒电路：低功耗特性（ICEO典型值仅10 nA）使其适用于电池供电设备中的状态检测与低功耗唤醒路径。 该器件具备高增益（hFE 160–400）、快速开关（tON/tOFF约数十纳秒）、ESD防护（HBM ±4 kV）及AEC-Q101认证（部分版本），亦适用于汽车电子中的车身控制模块（BCM）等非安全关键场景。注意：具体选型需参考最新官方数据手册确认温度等级与合规版本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PIMD2,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PIMD2,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934057905115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PIMD2 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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