Datasheet下载- 型号： MUN5211DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5211DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5211DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5211DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5211DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5211DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5211DW1T1是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，主要应用于需要高效、稳定和小尺寸设计的电路中。该器件集成了两个PNP晶体管，并内置偏置电阻，简化了外围电路设计。 典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于电压调节、电源开关控制等，提供稳定可靠的开关功能。 2. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压域之间的信号转换。 3. 驱动电路：用于驱动LED、继电器、小型电机等负载，特别是在便携式设备中。 4. 放大电路：在低频、小信号放大中使用，如音频前置放大等。 5. 嵌入式系统和消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能家居设备等，因其集成度高、封装小，适合高密度PCB布局。 该器件采用TSSOP封装，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产。其内置电阻可减少外部元件数量，提高系统可靠性，降低设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5211DW1T1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MUN5211DW1T1OSCT |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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