Datasheet下载- 型号： SMUN5313DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5313DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5313DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5313DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5313DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5313DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的SMUN5313DW1T1G是一款双极性晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要精确控制电流和电压的应用场景。以下是该型号可能的应用领域： 1. 信号调节：在传感器接口或数据采集系统中，SMUN5313DW1T1G可用于信号放大和调节，确保信号能够被准确地处理和传输。 2. 音频设备：在低失真音频放大器中，该晶体管阵列可以提供稳定的增益和良好的线性度，适合用作前置放大器或驱动级。 3. 电源管理：在某些电源电路中，如线性稳压器或开关模式电源的辅助电路中，该器件可用于实现快速响应的电流控制或保护功能。 4. 测试与测量设备：在精密仪器中，这类预偏置BJT阵列可用于构建高精度的电流源或电压参考电路，以提高测量准确性。 5. 通信设备：在射频（RF）和模拟电路中，SMUN5313DW1T1G可作为驱动级或缓冲级，支持高频信号的稳定传输。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，该晶体管阵列可用于驱动小型执行器、继电器或其他低功率负载，同时保持高效的能耗比。 7. 消费电子：在便携式设备中，如耳机放大器或小型音频播放器，该器件可提供高质量的音效输出，同时占用较少的空间。 总体而言，SMUN5313DW1T1G凭借其预偏置设计和高性能特性，适用于需要高精度、低噪声和稳定工作的各种电子应用。具体应用场景还需结合实际电路设计需求进行选择和优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5313DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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