.jpg)
Datasheet下载- 型号： RN2902FE(T5L,F,T)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2902FE(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2902FE(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2902FE(T5L,F,T)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2902FE(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2902FE(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN2902FE(T5L,F,T) 的晶体管属于 Toshiba Semiconductor and Storage 旗下的一款 预偏置双极性晶体管阵列（BJT Array），常用于需要简化偏置电路设计的场合。 该器件主要应用于以下场景： 1. 逻辑电平转换电路：适用于不同电压电平之间的信号转换，例如在数字电路与模拟电路之间进行信号适配。 2. 驱动电路：用于LED、小型继电器或蜂鸣器等负载的驱动，预偏置特性可减少外围元件数量，简化电路设计。 3. 开关应用：作为电子开关使用，控制电源或信号的通断，常见于消费电子、办公设备和工业控制系统中。 4. 放大电路：在低频、小信号放大应用中提供稳定的增益表现，尤其适合对电路集成度有一定要求的场景。 5. 汽车电子系统：如车载传感器信号处理、车内照明控制等，得益于其稳定性和可靠性。 该晶体管采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛用于便携设备、通信模块及嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2902FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN2902FE(T5L,F,T) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | RN2902FE(T5LFT)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
_renders/IS31FL3196A-QFLS2-TR.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
