Datasheet下载- 型号： PEMD24,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD24,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD24,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD24,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD24,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD24,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD24,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO端口驱动LED、小型继电器或光耦输入，简化电路并提升响应速度； 2. 开关电源中的辅助控制电路：用于PWM信号整形、使能控制或反馈信号调理，发挥其低输入电流、快速开关（fₜ≈250MHz）优势； 3. 工业I/O模块与传感器接口：作为电平移位器或缓冲器，适配不同电压域（如3.3V MCU控制5V负载），增强抗干扰能力； 4. 消费电子待机/唤醒电路：利用其低饱和压降（VCE(sat)≈0.15V @ IC=10mA）和高直流电流增益（hFE≈160），实现高效低功耗开关控制； 5. 汽车电子中非安全相关子系统：如车身控制模块（BCM）的车窗升降指示灯、仪表背光驱动等，符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次认证状态）。 该器件采用SOT-666封装，尺寸紧凑、热性能良好，适合高密度PCB布局。典型工作温度范围为−65°C至+150°C，支持无铅回流焊工艺。应用时需注意输入电压限值（VEB≤−6V）及功率耗散（Ptot≤300mW），建议参考NXP官方Datasheet进行热设计与驱动匹配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD24,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058926115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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