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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RN1605TE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1605TE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1605TE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1605TE85LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1605TE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1605TE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RN1605TE85LF是东芝半导体与存储（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款预偏置双极性晶体管阵列，属于晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置类别。该器件集成了两个内置偏置电阻的NPN型BJT晶体管，简化了电路设计，减少了外部元件数量，提高了系统可靠性。 该型号主要应用于需要小型化、高集成度和稳定性能的电子设备中。典型应用场景包括：便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的信号切换与逻辑控制；各类家用电器（如电视、空调、洗衣机）的微控制器接口驱动与继电器控制；工业控制模块中的电平转换与小功率开关电路；以及通信设备中的低频信号放大与开关应用。 RN1605TE85LF采用紧凑的S-Mini3B封装，具有良好的热稳定性和高频响应特性，适合高密度贴装的印刷电路板设计。其内置偏置电阻有效降低了噪声干扰，提升了电路抗干扰能力，同时便于快速上电工作，缩短开发周期。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的现代电子产品。 综上所述，RN1605TE85LF凭借其集成化设计、高可靠性和广泛的工作稳定性，广泛用于消费电子、工业控制、家电及通信领域的信号处理与驱动控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SM6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1602 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1605TE85LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | RN1605TE85LFDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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