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Datasheet下载- 型号： RN2706JE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2706JE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2706JE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2706JE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2706JE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2706JE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的型号为RN2706JE(TE85L,F)的双极晶体管（BJT）阵列 - 预偏置，通常应用于需要高性能、高精度和低噪声特性的电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 该型号适合用于高质量音频设备中的前置放大器或驱动级电路，能够提供稳定的增益和低失真性能，适用于家用音响、耳机放大器以及专业音频设备。 2. 信号调理电路 在工业自动化、传感器接口或测量仪器中，此器件可用于信号放大与调节，确保微弱信号被准确地放大而不引入额外噪声。 3. 通信设备 RN2706JE可应用于射频（RF）及中频（IF）阶段的小信号放大器，支持稳定可靠的无线通信系统设计。 4. 医疗电子 医疗设备如心电图仪（ECG）、超声波探头等需要对非常微弱的生物电信号进行放大处理，这款预偏置晶体管因其优异的线性度和一致性表现而成为理想选择。 5. 精密控制电路 在伺服电机控制器、机器人关节驱动器以及其他需要精确电流控制的应用场合，可以利用该器件构建高效的功率驱动电路。 6. 测试与测量仪器 示波器、万用表和其他精密测量工具可能采用此类晶体管来实现输入缓冲、放大等功能，保证测量结果的高度准确性。 总之，RN2706JE凭借其预偏置特性、良好的热稳定性以及一致性的电气参数，在各种需要高性能模拟信号处理的领域有着广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL CE PNP ESV -50V -100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1379861&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN2706JE(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2706JE |
| 产品型号 | RN2706JE(TE85L,F)RN2706JE(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | ESV |
| 其它名称 | RN2706JE(TE85LF)CT |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-553 |
| 封装/箱体 | SMV-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 200 MHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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