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Datasheet下载- 型号： EMG9T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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EMG9T2R产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMG9T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMG9T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMG9T2R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5。您可以下载EMG9T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMG9T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的EMG9T2R是一款预偏置双极性晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要高集成度和稳定偏置条件的电路设计中。该器件内部集成了多个晶体管及偏置电阻，可简化外围电路设计，提高电路稳定性。 EMG9T2R的主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：适用于低频信号放大器，如音响设备、音频前置放大器等，提供稳定的工作点，减少外部元件数量。 2. 开关电路：在数字电路或开关电源中作为驱动开关使用，因其集成偏置电阻，可直接由逻辑信号驱动，提高响应速度和可靠性。 3. 传感器信号调理：用于传感器接口电路中，放大微弱信号或进行电平转换，适用于工业控制、测量仪器等领域。 4. 通信设备：在射频模块或通信接口中作为信号处理单元，实现信号的放大与转换。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，因其封装小巧、集成度高，适合空间受限的设计。 EMG9T2R采用小型表面贴装封装，适合自动化生产，广泛应用于对性能和空间都有要求的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN EMT5 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | EMG9T2R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | EMT5 |
| 其它名称 | EMG9T2RCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD（5引线），扁引线 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
